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了解大面積單層二維材料的電荷輸運特性對于新型光電器件的未來發展至關重要。近日，西班牙Imdea Nanociencia研究所Enrique Cánovas、山東大學董人豪、德國馬普所Feng Xinliang報道了大面積單層Cu₃BHT 2D共軛配位聚合物的合成和電學表征。

本文要點：

1) Cu₃BHT通過Langmuir-Blodgett法在水面上合成，然后轉移到具有預圖案化電接觸的SiO₂/Si基板上。電氣測量顯示，在探頭間距為50μm的情況下，整個區域的歐姆響應高達≈1 cm²，平均電阻約為53±3 kΩ。

2) 冷卻和加熱循環在電響應中顯示出滯后現象，這表明在溫度掃描過程中，樣品經歷了結構化學變化，形成了不同的電流通路。這種滯后現象在幾個循環后消失，電導率隨溫度呈穩定的指數行為，表明溫度依賴的隧穿過程控制著多晶單層Cu₃BHT樣品的導電機制。此外，結合密度泛函理論計算和價帶X射線光電子能譜數據表明，單層樣品表現出半導體而非金屬性質。

參考文獻：

Sandra M. Estévez et.al Electrical Characterization of a Large-Area Single-Layer Cu₃BHT 2D Conjugated Coordination Polymer Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202416717

https://doi.org/10.1002/adfm.202416717